半導體膜厚測定用深紫外連續波激光器

半導體膜厚測定用深紫外連續波激光器

一、產品定位

• 半導體檢測工業用：膜厚測定、缺陷掃描、UV-Vis 光譜、反射率
• 連續波 213 nm：深紫外 DUV，連續波，5-500 mW，±0.1 % 穩定性
• 工業級：真空 ≤1×10?? Pa，0-180 ℃，工業級漂移
• Opt-Oxide CW 213nm：CW 連續波，213 nm，5-500 mW，即插即用

二、核心技術參數（CW 213nm）

三、功能亮點

1. 213 nm 深紫外：DUV 連續波，適合 < 5 nm 超薄膜測定
2. ±0.1 % 超高穩定性：1 h 漂移 < 0.1 %，膜厚重復性 < 0.01 nm
3. 5-500 mW 連續可調：5-500 mW 連續可調，適合不同工藝段
4. ≤ 1×10?? Pa 真空兼容：真空腔直接安裝，無泄漏
5. 0.28 kg 超輕：A5 底面積，可手提移動，實驗室即用
6. 5 年壽命：連續波無磨損，5 年免維護

四、典型應用系統

半導體膜厚測定┌─ 真空腔體 ─┐│               │激光← CW-213 ← 真空饋通 FC│               │└─ 光譜儀 ────┘

• 真空度 ≤ 1×10?? Pa，213 nm 連續照射
• 光譜儀采集反射光譜，膜厚精度 ≤ 0.01 nm

五、實測數據（半導體驗證）

• 真空：1×10?? Pa，25 ℃
• CW-213nm：
• 功率 100 mW（±0.1 %）
• 穩定性 ±0.1 %（1 h）
• 壽命 5 年（連續運行）

六、選型與配件

一、產品定位

• 半導體檢測工業用：膜厚測定、缺陷掃描、UV-Vis 光譜、反射率
• 連續波 213 nm：深紫外 DUV，連續波，5-500 mW，±0.1 % 穩定性
• 工業級：真空 ≤1×10?? Pa，0-180 ℃，工業級漂移
• Opt-Oxide CW 213nm：CW 連續波，213 nm，5-500 mW，即插即用

二、核心技術參數（CW 213nm）

三、功能亮點

1. 213 nm 深紫外：DUV 連續波，適合 < 5 nm 超薄膜測定
2. ±0.1 % 超高穩定性：1 h 漂移 < 0.1 %，膜厚重復性 < 0.01 nm
3. 5-500 mW 連續可調：5-500 mW 連續可調，適合不同工藝段
4. ≤ 1×10?? Pa 真空兼容：真空腔直接安裝，無泄漏
5. 0.28 kg 超輕：A5 底面積，可手提移動，實驗室即用
6. 5 年壽命：連續波無磨損，5 年免維護

四、典型應用系統

半導體膜厚測定┌─ 真空腔體 ─┐│               │激光← CW-213 ← 真空饋通 FC│               │└─ 光譜儀 ────┘

• 真空度 ≤ 1×10?? Pa，213 nm 連續照射
• 光譜儀采集反射光譜，膜厚精度 ≤ 0.01 nm

五、實測數據（半導體驗證）

• 真空：1×10?? Pa，25 ℃
• CW-213nm：
• 功率 100 mW（±0.1 %）
• 穩定性 ±0.1 %（1 h）
• 壽命 5 年（連續運行）

六、選型與配件